متاح للاستيراد
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9 لتطبيقات مصادر الطاقة المتقدمة
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Initial drain current
0.0005 A
Gate leakage current
1.0E-7 A
Drain-to-source resistance in open state
0.05 ohm
Threshold voltage
2...4 V
Switch-on delay time
55
Rise time
SBVVBG
Shutdown delay time
170
Decline time
SBVVBG
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستورات حقل تردد عالي للاستخدامات الخاصة 2P301B/IU
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيل
وحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
مفاتيح الطاقة K3003KI014A
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170A
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2
عرض التفاصيل
ترانزستور التبديل N-P-N عالي الجهد كود KT8144A
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN قوية للتبديل لأغراض خاصة 2T856G
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM100AD17M - إدارة الطاقة الفعالة
عرض التفاصيل
ترانزستورات وموديولات DMOF القوية عالية الجهد 2P829G9
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A-2 للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية